NE5531079A是一种N沟道硅功率横向扩散MOS FET,专门设计用于7.5 V无线电系统的传输功率放大器。模具采用我们的新MOS-M1技术制造,封装在表面贴装封装中。该器件在460MHz和7.5V电源电压下,输出功率为40.0dBm,功率增加效率为68%
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NE5531079A是一种N沟道硅功率横向扩散MOS FET,专门设计用于7.5 V无线电系统的传输功率放大器。模具采用我们的新MOS-M1技术制造,封装在表面贴装封装中。该器件在460MHz和7.5V电源电压下,输出功率为40.0dBm,功率增加效率为68%